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传感器
TMR2901 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性(xing)传感器
  • sop8
  • dfn8l(3x3x0.75)
  • sop8
  • dfn8l(3x3x0.75)
产品型号:TMR2901
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0~7 V
敏度(mV/V/Oe):25
电阻(kΩ):45,7~10
饱和场(Oe):±20
敏感方向:Y轴
磁滞(Oe):0.2
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~2
封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR2901

产品概述(shu):TMR2901采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR2901性能优越,采用的封装形式:SOP8(6mm x 5mm x 1.5mm)和DFN8(3 mm ´ 3 mm ´ 0.75 mm)两种。


产品特性:1隧道磁电阻 ( TMR) 技术;2高灵敏度 (25mV/V/Oe);3低的本底噪声 (2nT/rt(Hz) @1Hz);4低功耗;5优越的温度稳定性;6低的磁滞;7宽工作电压范围;8不需要置位/复位脉冲电路


典型应用(yong):(1微弱磁场检测;2电流传感器;3位置传感器

sop8 dfn8l(3x3x0.75)

                                                                                                                         

申(shen)明:(1)多维科技承诺本说明书(shu)所提(ti)供的(de)信息是准确(que)和可靠的(de),所公(gong)开的(de)技术未触犯其他公(gong)司的(de)专利(li)且具(ju)有自主知(zhi)识产权。多(duo)(duo)维(wei)科(ke)技具(ju)有保留为提高产(chan)品质量,可靠性(xing)和功能以更改产(chan)品规格的权力。多(duo)(duo)维(wei)科(ke)技对任何超出产(chan)品应用范围而(er)造成的后(hou)果不承担法(fa)律责任。(2)“多维科技“和(he)“多维科技 感知(zhi)未来(lai)”是秒(miao)速时(shi)时(shi)网(wang)址有限(xian)公司的合法(fa)注册商标。

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