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传感器
TMR2305M 三轴TMR线性传感器(qi)
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产品型号:TMR2305M
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0~7 V
敏度(mV/V/Oe):25
电阻(kΩ):9
饱和场(Oe):±10
敏感方向:X/Y/Z轴
磁滞(Oe):1
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~2
封装形式:Module(9.5 x 9.5 x 6)
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR2305M

产品概(gai)述:三轴TMR2305M采用(yong)(yong)了三个(ge)独特的推挽式惠斯通全桥(qiao)结构设计。每一(yi)轴惠斯通全桥(qiao)提(ti)供差(cha)分电(dian)压输出(chu),并且该输出(chu)具有良好(hao)的温度稳定性。三轴TMR2305M采用(yong)(yong)的封装形式:Module(9.5mm x 9.5mm x 6mm)。


产(chan)品(pin)特性(xing):(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术;(2)高灵敏度(25mV/V/Oe);(3)低的本底噪声(<2nT/rT(Hz)@1Hz);(4)三维线性感应;(5)更宽动态范围;(6)低功耗;(7)优越的温度稳定性;(8)宽工作电压范围;(9)无需置位/复位脉冲电路


典型应用:(1)三维空间测量;(2)微弱磁场检测;(3)电流传感器;(4)位置传感器


                                                                                                                         

申明:(1)多(duo)维科技承诺本说明书所提供的信息(xi)是准确和(he)可靠的,所公开的技术(shu)未触犯其他公司的专利且具有自主知识产(chan)权(quan)。多维科技具有保(bao)留为提高产(chan)品质量,可(ke)靠性和功(gong)能以更改产(chan)品规格(ge)的(de)权力。多维科技对任(ren)何超出产(chan)品应用(yong)范围而(er)造(zao)成的(de)后果不承(cheng)担法律责任(ren)。(2)“多维(wei)(wei)科技(ji)(ji)“和“多维(wei)(wei)科技(ji)(ji) 感知未(wei)来”是秒(miao)速(su)时时网址有限公司(si)的合(he)法注册商标。

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