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传感器
TMR1283 高压X轴双极型磁开关(guan)传感器
  • sot23-3
  • sot23-3
产品型号:TMR1283
兼容型号:
类型:双极锁存
供电电压:3~40 V
功耗:0.6mA
工作模式:分时供电
敏感方向:X轴
B_op (Gs,25°C):25
B_rp (Gs,25°C):-25
输出接口:CMOS
封装形式:SOT23-3
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR1283

产品概述: TMR1283是一款集成(cheng)了隧道磁阻(zu)(TMR)传感器和CMOS技术(shu),为高(gao)灵敏度(du)(du)、高(gao)速、低功耗、高(gao)精(jing)度(du)(du)应用(yong)而开(kai)(kai)发的(de)双极磁开(kai)(kai)关(guan)。TMR1283采(cai)用高精度推挽式(shi)全桥TMR磁传(chuan)感器和CMOS集成(cheng)电路,包括TMR电压发(fa)生(sheng)器、比较器、施(shi)密特触发(fa)器和CMOS输(shu)出(chu)电(dian)路,能将(jiang)变(bian)化(hua)的磁(ci)场(chang)信(xin)(xin)号转化(hua)为数(shu)字电(dian)压信(xin)(xin)号输(shu)出(chu)。TMR1283通过内部电(dian)压稳压器来提供温度补偿(chang)电(dian)源,并允许(xu)宽的工作电(dian)压范(fan)围(3V至(zhi)40V)。TMR1283以高(gao)电(dian)压工作、低于0.6毫安的(de)(de)(de)供电(dian)电(dian)流、高响应频(pin)率、宽的(de)(de)(de)工作温度范围(wei)、优越的(de)(de)(de)抗外磁干扰特性成(cheng)为(wei)众多(duo)低功耗、高性能应用(yong)的(de)(de)(de)理想(xiang)选(xuan)择。TMR1283采用体积小、使(shi)用方(fang)便可靠(kao)的SOT23-3封装形式(shi),所对应的产品型号为(wei)TMR1283S



产品特(te)性:1隧道磁电阻(TMR)技术;(2)低功耗(<0.6mA);(3)高频率响(xiang)应(>=100kHz)(4)双极锁存型开关;(5)X轴磁场(chang)感应方(fang)向;(6)工作电压达40V并(bing)可承受30V反向电压(ya);(7)开漏输(shu)出;(8)高(gao)灵敏度,低开关(guan)点;(9)卓越的温(wen)度稳定性;(10)优越(yue)的(de)抗外磁场性能。


典型应用(yong):1计量仪表(水表,气表,热(re)量表);(2)固(gu)态开(kai)关(guan);(3)速度检测;(4)位置检测;(5)电机和风扇控制(zhi);(6)电(dian)动(dong)车(che)窗。



                                                                                                                         

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