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传感器
TMR2108 TMR线性(xing)传感器
  • sot23-5
  • sot23-5
产品型号:TMR2108
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0.5~7 V
敏度(mV/V/Oe):0.08
电阻(kΩ):0.8,4
饱和场(Oe):±1600
敏感方向:X轴
磁滞(Oe):1
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
封装形式:SOT23-5
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR2108

产品概述:TMR21XX系列TMR线性磁场传感器芯片采用了推挽式惠斯通电桥结构,当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,传感器的输出电压随外加磁场线性地变化。TMR21XX系列线性磁场传感器芯片采用SOT23-5的封装形式,具有体积小和容易焊接的特点。该系列包括TMR2108、TMR2109、TMR2110TMR2111四款TMR线性磁场传感器芯片。

 

产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)非线性度:±0.5 %(3)宽线性范围;(4)宽工作电压范围:0.5 V ~ 7 V(5)低磁滞;(6)高频响:可达500 kHz(7)工作温度 -40 °C ~ +125 °C


典型应用:(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)位置传感器;(4)角度传感器;;(5)磁导航。


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